Нова технологія пам’яті PoX від китайських вчених перевершує всі сучасні аналоги за швидкістю та енергоефективністю.
Про це пише Tom’s Hardware.
Дослідники з Університету Фудань у Китаї представили проривну технологію пам’яті нового покоління під назвою PoX (Phase-change memory with oxide switching). Її швидкість запису становить лише 400 пікосекунд — це еквівалент 25 мільярдів операцій на секунду. Така продуктивність у сотні тисяч разів перевищує можливості традиційних флеш-накопичувачів.
На відміну від класичної енергонезалежної пам’яті, PoX поєднує дві ключові технології — фазові зміни та перемикання оксидів. Такий підхід дозволяє обробляти та зберігати інформацію з безпрецедентною швидкістю. Замість кремнію вчені використали графен — надпровідний матеріал, що став основою нової мікроструктури. Ключову роль у прискоренні процесів відіграє ефект «суперінжекції заряду» — інноваційна технологія, яка дозволяє обійти старі обмеження швидкодії.
Оскільки сучасні системи штучного інтелекту оперують гігантськими обсягами даних у реальному часі, швидкість пам’яті стає критично важливою. Технологія PoX може радикально зменшити затримки при обробці даних і значно знизити енергоспоживання. Завдяки цьому розробка стане актуальною не лише для серверів і дата-центрів, а й для мобільних пристроїв, комп’ютерів та іншої побутової електроніки.
PoX може змінити підхід до зберігання інформації на фундаментальному рівні. З огляду на мініатюрні розміри компонентів (близько 50 нм), нову пам’ять можна буде інтегрувати у компактні пристрої без втрати продуктивності. Це відкриває широкі можливості для виробників смартфонів, ноутбуків, SSD-накопичувачів та навіть для використання в автомобільній електроніці.
Хоча комерційний запуск технології ще не відбувся, наукова спільнота вже називає PoX однією з найперспективніших розробок у сфері обчислювальної техніки останніх років.
