Як повідомляє Android Authority посилачюись на інсайдера Ice Universe повідомив у X (Twitter), що Galaxy S26 Ultra отримає модулі LPDDR5X із пропускною здатністю 10,7 Гбіт/с. Це відповідає максимальній швидкості нової пам’яті Micron 1γ (1-gamma), презентованої у червні 2025 року.
Окрім збільшення швидкості, нові чипи обіцяють до 20% вищу енергоефективність порівняно з попереднім поколінням, що використовувалося в Galaxy S25 Ultra — Micron 1β (1-beta) з максимальною швидкістю 9,6 Гбіт/с. Таким чином, приріст продуктивності складе близько 11,5%.
Практичний ефект оновлення пам’яті
Збільшення пропускної здатності оперативної пам’яті дозволить процесору швидше обробляти дані, що особливо важливо під час зйомки відео у форматі 8K, мобільного геймінгу з високою частотою кадрів та роботи AI-функцій безпосередньо на пристрої. При цьому підвищена енергоефективність нової пам’яті допоможе зменшити споживання заряду батареї під час виконання таких ресурсомістких завдань.
Samsung офіційно не підтверджувала ці дані, але витоки свідчать про комплексне оновлення ключових компонентів моделі.
